量测
量测
KLA 的量测系统满足了一系列芯片和基片晶圆制造应用所需，包括设计可制造性验证、新工艺表征以及批量制造工艺的监控。通过精确测量图案尺寸、薄膜厚度、层间对齐、图案位置、表面形貌和电光特性，我们全面的量测系统帮助芯片制造商严格控制其工艺，从而提高器件性能和良率。
Archer™
套刻量测系统
Archer™750套刻量测系统提供对产品套刻误差的准确反馈，能实现快速的技术升级，稳定生产先进的存储器和逻辑器件产品。在制造工艺不断变化的情况下，具有10nm分辨率的波长可调性提供了准确而强大的套刻误差测量。量产应用常见于散射量测的系统， Archer 750成像技术套刻系统支持更高采样率对光刻机的高阶校正，同时提供高产量便于进行在线监测。先进的算法和新颖的rAIM™套刻目标设计可改善目标与器件套刻误差之间的相关性，从而帮助光刻人员准确跟踪器件套刻的状况。
主要应用
产品在线套刻控制，在线监控，光刻机认证，图案控制相关产品
Archer 700：基于成像技术的套刻量测系统，具备可调节光源，可对≤7nm逻辑和高级存储器设计节点进行精确且稳定的套刻误差测量。
Archer 600：基于图像的套刻量测系统，用于高级存储器和≤10nm逻辑器件。
Archer 500LCM：基于双成像和散射技术的套刻量测模块，适用于2Xnm / 1Xnm设计节点上的一系列制程层。
Archer 500：用于2Xnm / 1Xnm设计节点的基于成像的套刻量测系统。
ATL：基于散射测量的覆盖量测系统，适用于≤7nm逻辑和高级存储器设计节点。
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套刻量测系统
基于ATL100™（精确可调谐激光器）散射测量的套刻测量系统可以为≤7nm设计节点的开发和批量制造提供套刻控制。 系统结合了分辨率为1nm的可调谐激光技术与实时Homing™功能以确保在实际生产工艺发生变化时仍然保持高精度的套刻。 ATL100支持包括芯片内和小间距在内的各种散射测量叠加测量目标设计，并且可以针对不同工艺层、器件类型、设计节点以及图案化技术实现精确的套刻误差测量。
主要应用
产品上套刻控制，在线监控，扫描仪认证，图案化控制，芯片内测量相关产品
Archer: 基于成像的套刻量测系统，可为≤1Xnm设计节点的开发和批量制造提供高精度套刻测量。
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光学临界尺寸（CD）和形状量测系统
SpectraShape™11k尺寸量测系统用于全面表征和监控finFET的关键尺寸（CD）及其三维形状、垂直堆叠的NAND和DRAM结构以及前沿设计节点上集成电路的其他复杂功能。利用光学技术和专利算法的先进性突破，SpectraShape 11k可以识别关键器件的参数（关键尺寸、高k和金属栅极凹槽、侧壁角度、光刻胶高度、硬掩模高度、间距偏移）的细微变化。SpectraShape 11k配备了经过改进的工作台和全新的测量模块，可实现高产量运转，能够在线快速识别制程中的问题，从而帮助晶圆厂加快产量提升并实现稳定的生产。
主要应用
在线制程监测，图形控制，制程窗口扩展，制程窗口控制，高级制程控制（APC），工程分析相关产品
AcuShape®：先进的建模软件，解析来自SpectraShape系统的信号，从而有助于加快构建强大的3D形状模型的过程。
SpectraShape 10K：光学CD和形状量测系统，可测量1Xnm逻辑和高级存储IC器件的复杂功能。
SpectraShape 9000：光学CD和形状量测系统，可以测量20nm及以下设计节点的IC器件的复杂功能。
SpectraShape 8810/8660：光学CD测量和形状测量系统，可对32nm及以下设计节点的IC器件的关键结构参数进行制程监控。
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薄膜量测系统
SpectraFilm™ F1薄膜测量系统可以为各种薄膜层提供高精度薄膜测量，从而在7nm一下的逻辑和领先内存设计节点上协助实现严格的工艺允许误差。高亮度光源驱动光谱椭偏仪技术，信号足以精确测量带隙并且可以比电子测试提早数周了解电性能。新的FoG™（光栅上的薄膜）算法可以在类似器件的光栅结构上实现薄膜测量，从而进一步提高测量值与器件的相关性。随着产量的提高，SpectraFilm F1能够支持产率提升，并且测量更多与先进设备制造技术相关的薄膜层。
主要应用
带隙监控，工程分析，在线工艺监控，设备监控，工艺设备匹配相关产品
SpectraFilm LD10: SpectraFilm LD10薄膜量测系统可为16nm及以下的设计节点的各种薄膜层提供可靠的、高精度的薄膜及厚膜厚度、折射率和应力测量。
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联系我们Aleris®
薄膜量测系统
Aleris® 薄膜量测系统可为32nm节点及以下节点提供可靠的、精确的薄膜厚度、折射率、应力以及成分测量。 利用宽带光谱椭偏仪（BBSE）技术，Aleris薄膜测量系统提供全面的薄膜厚度测量和量测解决方案，帮助晶圆厂对各种薄膜层进行鉴定和监控。
Aleris 8330
Aleris 8330薄膜量测系统是一种低成本的解决方案，用于包括金属间电介质、光阻、底部抗反射涂层、厚氧化物和氮化物以及后段层等非关键薄膜层。
Aleris 8350
Aleris 8350是一种高性能薄膜量测系统，可以满足关键薄膜层对厚度、折射率和应力测量所需的更严格的工艺差异。 Aleris 8350薄膜厚度测量系统针对各种关键薄膜提供先进薄膜开发、表征和工艺控制，其中包括超薄扩散层、超薄栅极氧化物、先进光阻、193nm ARC层、超薄多层 堆叠以及CVD层等。
Aleris 8510
Aleris 8510将Aleris系列的薄膜厚度、成分和应力测量功能扩展到先进的High-k金属栅极（HKMG）和超薄去耦等离子体氮化（DPN）工艺层。 Aleris 8510薄膜厚度测量系统采用增强型150nm宽带光谱椭偏仪技术，针对DPN层和所有HKMG层- 从栅极到多晶硅，包括Hf和N剂量和薄膜厚度测量为工程师提供技术开发和在线监控所需的薄膜量测数据。
主要应用
工程分析，在线工艺监控，设备监控，工艺设备匹配对此产品感兴趣或有疑问？
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图案化的晶圆几何形貌（PWG）量测系统
PWG™图案化晶圆几何形貌量测平台为IC制造商提供全面的关于晶圆平坦度，双面纳米级形貌和高分辨率边缘碾轧数据。用于高级3D NAND，DRAM和逻辑产品制造商的PWG3™图案化晶圆几何形貌量测系统是一种单工具解决方案，用于测量应力引起的晶圆形变，晶圆形变引入的图形套刻误差，晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面形貌。其数据用于制程的在线监控，套刻校正和光刻聚焦控制，从而实现图案化晶圆制程改进和更快的良率提升。
CIRCL™
全表面晶圆缺陷检测、量测和检视集群系统
CIRCL™ 集群设备包含四个模块可以检测所有晶圆表面并同步采集数据，从而实现高产量和高效率的工艺控制。 最新一代的CIRCL5系统模块包括：晶圆正面缺陷检测; 晶圆边缘缺陷检测；轮廓、量测和检查; 晶圆背面缺陷检测和检查; 以及晶圆正面缺陷的光学检查和分类。 DirectedSampling™可以提供数据采集控制，并创新地利用一项测量结果触发集群设备中其他类型的测量。 CIRCL5的模块化配置可以灵活地满足不同工艺控制的需求，节省整个晶圆厂空间，缩短晶圆排队检测时间，并可以通过经济高效的系统升级来保护晶圆厂的资本投资。
主要应用
工艺监控，出厂质量控制（OQC），设备监控，背面监控，边缘良率监控对此产品感兴趣或有疑问？
联系我们Surfscan®
无图案晶圆缺陷检测系统
Surfscan® SP7 无图案晶圆检测系统针对领先的逻辑和内存设计节点可以进行以下认证：用于IC制造（包括EUV光刻）的工艺、材料和设备; 用于基片制造的先进基板（如特级硅晶圆、外延和SOI晶圆）; 以及用于设备制造的工艺设备性能。 Surfscan SP7采用具备峰值功率控制的DUV激光光源、全新的光学架构、一系列光斑尺寸变化以及先进的算法，为裸晶圆、光滑和粗糙的薄膜以及精细的光阻和光刻堆栈结构提供灵敏度极高的检测和更好的缺陷分类。 Surfscan SP7也能够作为高分辨率的SURFmonitor™模块进行组合，用于表面质量的表征和细微缺陷的检测，从而协助工艺和设备的认证。
主要应用
工艺认证，设备认证，设备监测，出厂晶圆质量控制，进厂晶圆质量控制，EUV光阻和扫描仪认证，工艺调试相关产品
Surfscan SP5XP: 无图案晶圆表面检测系统，不仅产量高也具有DUV灵敏度，适用于1Xnm设计节点的IC、基片和设备制造。
Surfscan SP5: 无图案晶圆表面检测系统，不仅产量高也具有DUV灵敏度，适用于2X / 1Xnm设计节点的IC、基板和设备制造。
Surfscan SP3: 无图案晶圆表面检测系统，不仅产量高也具有DUV灵敏度，适用于2Xnm设计节点的IC、基板和设备制造。