量测

KLA 的量测系统可满足一系列芯片和基板制造应用的需求,其中包括设计可制造性验证、新工艺表征和大批量制造工艺监控。通过精确测量图案尺寸、薄膜厚度、层间对齐、图案位置、表面形貌和电光特性,我们全面的量测系统帮助芯片制造商严格控制其工艺,从而提高器件性能和良率。

Archer™

套刻量测系统

Archer™ 750套刻测量系统为技术领先的存储器和逻辑器件的技术加快促进和稳定生产提供准确的产品套刻误差反馈。在制造工艺不断变化的情况下,具有10nm分辨率的波长可调性提供了准确而强大的套刻误差测量。通过通常只在散射量测系统中见到的生产力水平,Archer 750成像技术套刻系统支持更高采样率,用于高阶光刻机校正,并具有高吞吐量,适用于在线监控。先进的算法和新颖的rAIM®套刻目标设计可改善目标与器件套刻误差之间的相关性,从而帮助光刻人员准确跟踪器件套刻的状况。

ATL™

套刻量测系统

基于ATL100™(精确可调谐激光器)散射测量的套刻测量系统可以为≤7nm设计节点的开发和批量制造提供套刻控制。 系统结合了分辨率为1nm的可调谐激光技术与实时Homing™功能以确保在实际生产工艺发生变化时仍然保持高精度的套刻。 ATL100支持包括芯片内和小间距在内的各种散射测量叠加测量目标设计,并且可以针对不同工艺层、器件类型、设计节点以及图案化技术实现精确的套刻误差测量。

Axion®

X射线临界尺寸(CD)和形状量测系统

Axion® T2000 X射线尺寸量测系统能够对用于先进的3D NAND和DRAM芯片中的高纵横比结构进行高分辨率、快速、准确、精确的非破坏性三维形状测量。通过创新的X射线技术,Axion T2000能够识别微小的结构变化(弯曲、弯曲度、CD轮廓、刻蚀深度、椭圆度、倾斜等),这些变化或会影响存储器件的性能和产量。通过在线非破坏性测量,Axion T2000帮助存储器制造商在研发过程中实现快速学习周期,取代了长周期、破坏性的方法,如FIB-SEM、TEM和横截面SEM等。Axion T2000还用于在高产量制造过程中对关键工艺步骤进行表征、监控和控制,以确保及时发现和解决问题,保持稳定的生产。

SpectraShape™

光学临界尺寸(CD)和形状量测系统

SpectraShape™11k尺寸量测系统用于全面表征和监控finFET的关键尺寸(CD)及其三维形状、垂直堆叠的NAND和DRAM结构以及前沿设计节点上集成电路的其他复杂功能。利用光学技术和专利算法的先进性突破,SpectraShape 11k可以识别关键器件的参数(关键尺寸、高k和金属栅极凹槽、侧壁角度、光刻胶高度、硬掩模高度、间距偏移)的细微变化。SpectraShape 11k配备了经过改进的工作台和全新的测量模块,可实现高产量运转,能够在线快速识别制程中的问题,从而帮助晶圆厂加快产量提升并实现稳定的生产。

SpectraFilm™

薄膜量测系统

SpectraFilm™ F1薄膜测量系统可以为各种薄膜层提供高精度薄膜测量,从而在7nm一下的逻辑和领先内存设计节点上协助实现严格的工艺允许误差。高亮度光源驱动光谱椭偏仪技术,信号足以精确测量带隙并且可以比电子测试提早数周了解电性能。新的FoG™(光栅上的薄膜)算法可以在类似器件的光栅结构上实现薄膜测量,从而进一步提高测量值与器件的相关性。随着产量的提高,SpectraFilm F1能够支持产率提升,并且测量更多与先进设备制造技术相关的薄膜层。

Aleris®

薄膜量测系统

Aleris® 薄膜量测系统可为32nm及以上的节点提供可靠的、精确的薄膜厚度、折射率、应力以及成分测量。 利用宽带光谱椭圆偏光(BBSE)技术,Aleris薄膜测量系统提供全面的薄膜厚度测量和量测解决方案,帮助晶圆厂对各种薄膜层进行鉴定和监控。

PWG™

图案化的晶圆几何形貌(PWG)量测系统

PWG™ 图案化晶圆几何量测平台可为先进的 3D NAND、DRAM 和逻辑制造商提供完整的高密度的晶圆形变、晶圆平整度和双面纳米形貌量测数据。PWG5™ 具备高分辨率和高数据密度,可测量应力引起的晶圆形状变化、晶圆形状引起的图案叠对误差、晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面形貌。凭借业界极佳的动态范围,PWG5支持在线监测与控制晶圆翘曲和应力,这些翘曲和应力是由于制造高级3D NAND器件的96+层堆叠沉积制程产生的。PWG5从源头识别制程引起的晶圆形状变化,从而能够进行晶圆的制程返工,制程设备的重新校准或与KLA的5D Analyzer®数据分析系统集成,将结果反馈到扫描仪,从而改善产品套刻精度和整体器件的良率。

CAPRES microRSP®

微尺度片上电阻探测

CAPRES A301 microRSP®是基于传统宏观探测中可靠的四点法技术的CAPRES系统。它提供了从离线测试晶圆电阻测量到在线产品晶圆片上电阻表征的简单过渡。该系统使用可靠的技术,能够准确测量片上电阻,帮助实现生产中的过程控制和质量优化。CAPRES A301 microRSP采用具有悬臂宽度可达500纳米的柔性微制电极阵列,是第一个可以在300毫米产品晶圆划痕线上工作的非破坏性电阻测量工具。它能够在非常小的长度尺度上进行测量,提供精确的结果,帮助实现对产品晶圆的片上电阻进行准确测量和表征。完全自动的CAPRES A301 microRSP基础产品可用于对300毫米的裸片和产品晶圆进行片上电阻测量,并可根据下面的相关产品部分中定义的不同配置,提供额外的测量能力和功能。我们还提供200毫米的CAPRES microRSP产品。

CAPRES CIPTech®

电学/磁学性能量测

CAPRES A301 CIPTech®和CAPRESM300 CIPTech®计量系统可直接测量与MRAM、STTRAM、磁记录头和磁传感器应用相关的铺盖式磁隧道结构(MTJ)层中的关键性磁电阻和隧道电阻(MR和RA)。获得IBM许可的Current In-Plane Tunneling 技术 (CIPTech®)具有前所未有的测量速度,并相比先前的技术在成本和时间上带来了巨大的节省。当与CAPRES专有的纳米MEMS探针技术结合使用时,完全自动化的CAPRES A301 CIPTech系统和半自动/手动的CAPRES M300 CIPTech系统可以快速而有效地对300mm全片或样品券上的MTJ性质进行非破坏性测量。MTJ表面通过一种新型的多点接触探针进行探测,该探针具有十二个微观悬臂电极,并使用CIPT技术从CAPRES多点测量中直接提取MR和RA。

Therma-Probe®

离子掺杂量测系统

Therma-Probe® 680XP 离子掺杂/退火量测系统可对2Xnm / 1Xnm设计节点进行在线剂量监测。 Therma-Probe 680XP可以提供关于离子掺杂剂量和轮廓、注入和退火均匀性以及范围损坏的关键工艺信息。 此外,Therma-Probe 680XP系统的高分辨率微均匀性图为注入和退火工艺开发提供了指纹识别功能。

MicroSense® PKMRAM

用于 MRAM 的 300 毫米可用的非接触式磁性量测系统

MicroSense® PKMRAM 系统利用极性磁光克尔效应 (MOKE) 表征多层晶圆的磁性,以用于开发和制造垂直 MRAM。该系统利用非接触式全晶圆测量技术,绘制了大至 300 毫米的整体晶圆磁性图。该系统可采用手动加载或全自动配置,以满足研发和/或生产要求。与其他 MicroSense 磁量测工具一样,MicroSense PKMRAM 系统使用专有的直接场控制技术,提供高场能力和低场分辨率,以表征单个系统中的自由层和固定层属性。

MicroSense® KerrMapper

纵向磁光 Kerr 效应系统

MicroSense® KerrMapper系列工具利用纵向磁光克尔效应(MOKE)来表征磁性多层晶片(用于数据存储、MRAM和其他磁传感器)的磁性特性。利用非接触式全晶片测量技术,MicroSense® KerrMapper S300和V300系统可以创建整个晶片磁性特性的映射图。这两种系统都可以手动加载或全自动配置,用于研发和/或生产。使用MicroSense磁测量工具的专有直接场控制技术,MicroSense® KerrMapper系统提供高场能力和低场分辨率,可在单个系统中表征自由层和固定层性能。

OmniMap® RS-200

薄层电阻量测系统

OmniMap® RS-200电阻率测绘系统采用了成熟的工业电阻率测绘标准,可为45nm及以下的测量提供准确可靠的薄层电阻测量。 该电阻率测绘系统提供高级自动化和改良边缘性能等功能,以满足当今300mm晶圆生产要求。

CIRCL™

全表面晶圆缺陷检测、量测和检视集群系统

CIRCL™ 集群设备包含四个模块可以检测所有晶圆表面并同步采集数据,从而实现高产量和高效率的工艺控制。 最新一代的CIRCL5系统模块包括:晶圆正面缺陷检测; 晶圆边缘缺陷检测;轮廓、量测和检查; 晶圆背面缺陷检测和检查; 以及晶圆正面缺陷的光学检查和分类。 DirectedSampling™可以提供数据采集控制,并创新地利用一项测量结果触发集群设备中其他类型的测量。 CIRCL5的模块化配置可以灵活地满足不同工艺控制的需求,节省整个晶圆厂空间,缩短晶圆排队检测时间,并可以通过经济高效的系统升级来保护晶圆厂的资本投资。

KLA拥有一套软件解决方案,可以集中和分析芯片制造的量测数据,包括OVALiS和5D Analyzer®

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KLA还提供通过Pro Systems and Enhancements进行传统节点制造的量测系统。

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