产品类别
Surfscan®
无图案晶圆缺陷检测系统
Surfscan®SP7XP无图案检测系统,识别影响先进储存与逻辑器件性能与可靠性的缺陷和表面品质问题。透过针对工具、制程与材料进行验证与建空,其支援包括用于EUV光子工具的集成电路、原始设备制造商、材料与基板制造。利用DUV雷射与出色的检测模式,Surfscan SP7XP提供了先进节点研发所需的最佳灵敏度,并具备支援高产量制造的产出率。辅助的检测模式包括相位对比通道 (PCC)与正常照明 (NI),可检测裸晶圆、光华与粗糙膜层,以及易碎的光刻胶和光刻堆叠得独特缺陷类型。基于图像的缺陷分类 (IBC) 利用了革命性的机器学习算法,加速根本故障原因定位,而Z7™分类引勤则支援独特的3D NAND与厚膜应用。
制程验证、工具验证、工具监控、出厂晶圆品质控制、进场晶圆品质控制、制成出错
SurfServer®
配方管理系统能在兼容的Surfscan系统之间促进配方之可移植性,有助于优化晶圆厂内的设备管理流程。
Surfscan SP7
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效出产率,适用于5奈米设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan SP5XP
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效出产率,适用于1纳米设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan SP5
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效储产率,适用于2X/1X纳米设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan SP3
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效出产率,适用于2X纳米设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan® SP Ax
无图案晶圆缺陷检测系统
对于生产用于汽车、物联网、5G、消费电子和工业(军事、航空航天、医疗)等设备的芯片,Surfscan® SP A2 和 Surfscan® SP A3 无图案晶圆检测系统可识别影响其性能和可靠性的缺陷及晶圆表面质量问题。这些检测系统通过对设备、工艺和材料进行认证和监控,为制造IC、OEM、材料和衬底提供支持。Surfscan SP Ax 系统采用深紫外(DUV)激光和优化的检测模式,能以其所需的灵敏度协助晶圆厂执行缺陷减少策略。标准的暗场和可选的明场检测模式同时运行,捕获关键的良率缺陷和潜在的可靠性缺陷类型并将其分类。Surfscan SP A2/A3检测仪构建于行业领先的Surfscan平台基础之上,可以处理150 毫米、200 毫米和 300 毫米晶圆,其灵活的配置,可以在兼顾性能和价格要求的同时,满足广泛的应用需求。
制程验证、工具验证、工具监控、出场晶圆品质控制、进场晶圆品质控制、制程除错
SurfServer®
配方管理系统能在兼容的Surfscan系统之间促进配方之可移植性,有助于优化晶圆厂内的设备管理流程。
Surfscan SP7XP
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效产出率,适用于5奈米设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan SP7
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效出产率,适用于5奈米设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan SP5XP
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效出产率,适用于1奈米设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan SP5
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效储产率,适用于2X/1Xnm设计节点集成电路、基板与设备制造。
Surfscan SP3
无图形晶圆表面检测系统,搭载DUV敏感性与高效出产率,适用于2X奈米设计节点集成电路、基板与设备制造。
eDR7xxx™
电子束晶圆缺陷检视和分类系统
eDR7380™电子束晶圆缺陷检视和晶圆分类系统可以拍摄高分辨率的缺陷图像,从而精确反映晶圆上的缺陷群体状况。eDR7380内置多种电子光学元件和专用的镜头内探测器,对包括脆弱的EUV光刻层、高宽比沟槽层和电压对比层等在内的各个不同的制程步骤提供缺陷可视化支持。独特的Simul-6™技术可以通过一次测试生成完整的DOI(关注缺陷)柱状分部图,从而精确定位缺陷根源并迅速检测制程偏移。通过如宽光谱图案晶圆检测仪上的IAS™和裸片晶圆检测仪上的OptiSens™等连通功能,eDR7380为KLA检测设备提供了独特连接,以便在IC和晶圆制造制程中加速良率改进。
eDR®是KLA 公司的注册商标。
缺陷影像、自动在线缺陷检测分类与成效管理、裸晶圆进出厂质量控制、晶圆处置、热点检测、缺陷检测、极紫外光检查、制程窗口检测、制程窗口质量验证、晶圆边缘侧边复检
eDR7280
电子束晶圆检测复检与分类系统采用第五代浸润式电子光束,适用于≤16纳米设计节点集成电路的开发及生产。
WaferSight™
裸晶圆几何量测系统
WaferSight™ 2+裸晶圆几何形貌量测系统可为晶圆制造商提供抛光和外延硅晶圆,以及工程和其他先进基板的质量认证。通过生产晶圆平坦度,双面纳米级形貌和高分辨率边缘碾轧数据,WaferSight 2+可生成数据,帮助晶圆制造商确保在批量生产中生产出优质的基板。
晶圆工艺监控和控制、出场晶圆质量控制
MicroSense® Wafer Series
裸晶片几何量测系统
晶片制造商使用MicroSense®裸晶片几何量测系统来鉴定各种材料、尺寸和形状的基片。MicroSense 系统使用获得专利的非接触式传感器技术,以高吞吐量进行精确、准确的自动化几何测量。系统生成厚度、弯曲/翘曲和平整度等指标,帮助晶片制造商鉴定和优化其工艺,确保高质量基片的批量生产。
晶片工艺监控和控制、出厂晶片质量控制(OQC)、芯片制造商的入货质量控制(IQC)。
MicroSense® C200L
- 基片类型:抛光和外延200mm硅片
- 技术:获得专利的双探头、具有纳米分辨率的非接触式电容传感器
- 测量:直接、不依赖于材料、高分辨率、高密度测量(>200,000 个数据点/200mm 晶圆),生成二维和三维晶片地图。
- 产出衡量标准:厚度、总厚度变化、弯曲/翘曲、晶圆P/N类型、电阻率;以及整个晶圆、站点和边缘站点的平整度测量
- 配置:五个盒子,用于灵活的晶片分拣选项
MicroSense® C200M
- 基片类型:抛光和外延200mm硅片
- 技术:获得专利的双探头、具有纳米分辨率的非接触式电容传感器,与MicroSense C200L相比,其准确性、重复性和吞吐量均有所提高
- 测量:直接、不依赖于材料、高分辨率、高密度测量(>200,000 个数据点/200mm 晶圆),生成二维和三维晶片地图
- 产出衡量标准:厚度、总厚度变化、弯曲/翘曲、晶圆P/N类型、电阻率;以及整个晶圆、站点和边缘站点的平整度测量
- 配置:五个盒子,用于灵活的晶片分拣选项
MicroSense® CSW1
- 基片:锯切、抛光和外延150mm/200mm硅、SiC、GaN、GaAs、蓝宝石和其他基材;外延工艺
- 技术:获得专利的双探头、具有纳米分辨率的非接触式电容传感器
- 产出衡量标准:厚度、平整度、形状、站点平整度和边缘标准的高密度二维和三维地图
- 配置:带有两个盒子(可同时容纳150mm和200mm晶圆)的桥架工具
MicroSense® STR1
- 基片:晶圆制造商的抛光和外延150/200mm硅、SiC、GaN、GaAs、蓝宝石和其他基片以及外延工艺;芯片制造商的未成形沉积工艺
- 技术:获得专利的双探头、具有纳米分辨率的非接触式电容传感器
- 测量:全晶片映射,每个晶圆可测量 120,000 次
- 产出衡量标准:厚度、平整度、形状、2D应力、总厚度变化、弓形、翘曲和站点/边缘指标的高密度二维和三维地图
Candela® 8xxx
复合半导体材料和SiC、GaN基片的先进检测技术
Candela® 8720复合半导体材料表面检测系统可用于GaN相关材料、GaAs基片和外延过程控制,用于功率器件、通信和射频器件,以及先进的LED和微LED的生产。它利用专有技术来检测和分类亚微米级的限制产量的缺陷,支持生产线监控。Candela® 8520缺陷检测系统专为SiC和GaN基片的先进表征而设计,该基片通常用于汽车和其他应用中的功率器件。它利用集成的表面散射和光致发光检测技术,能够捕捉各种关键的地形和晶体缺陷,如三角形、胡萝卜缺陷、堆垛故障和基面位错等。Candela 8xxx 系统帮助基片制造商提高质量和良率,优化外延生长工艺。
出场质量控制、进场质量控制、工艺监控、设备监控
Candela® 8420
用于复合半导体材料的表面检测。
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