MRAM技术

MRAM技术更大的应用计划,除了物联网和汽车芯片,IC制造商还计划将MRAM集成到其他移动应用中。较高的读/写速度和非易失性具有明显的优势。逻辑电路可以更快地访问存储器,延长了电池寿命。

Person holding futuristic device

MRAM Process Stack

MRAM: 制程挑战

MRAM制造要求对20到30层非常薄的金属和绝缘体的复杂堆叠,对沉积、退火、磁化和蚀刻进行严格控制。这些存储器单元可以组成独立的存储器芯片,或者在前段(BEOL)制造流程中嵌入到逻辑芯片中,当芯片接近完成且芯片的价值很高时。在线无损制程控制对于理解和预测最终设备性能至关重要。

MRAM 制程流程与控制

磁性隧道结 (MTJ)

MRAM Process Flow

薄膜厚度

光谱椭偏仪技术提供有价值的薄膜厚度信息

满足针对MTJ叠层中单个金属层厚度的高精度测量

了解薄膜层的厚度对于控制MRAM器件性能至关重要

KLA SpectraFilm™

CIPT

电流面内隧穿(CIPT)是一种12点电子探针技术,可测量电阻随磁场的变化

CIPT提供了自由层在沉积,退火和磁化过程之后的重要性质

该技术被认为是在线MRAM制程监测的标准

CAPRES CIPTech®

MOKE

磁光克尔效应(MOKE)可检测堆栈中自由层和固定层的细微变化

非接触式测量使用强磁场确定偏振态变化

该光学技术允许在蚀刻之前和之后进行测量,无需特定目标

MicroSense PKMRAM

光学散射

光学散射测量(SCD)测量确定蚀刻后单个单元的形状

器件级别的测量提供最相关的结构信息

MRAM结构的形状决定了MRAM单元的最终电性

KLA SpectraShape™

点击上面的KLA产品链接了解KLA在MRAM制程中如何帮助测量和控制关键参数的更多信息

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