MRAM科技

未来的MRAM科技会有很大的发展。除了物联网和汽车芯片,IC制造商正计划将MRAM集成到其他移动技术应用中。高速读/写和非易失性拥有显着优势。逻辑电路可以更快地访问存储,从而延长电池寿命。

Person holding futuristic device
Memory cells

MRAM制程

MRAM的制造需要控制非常薄的铁磁层的沉积,退火,磁化和刻蚀步骤。当存储芯片制程快完成的时候,会将其嵌入逻辑芯片中。在这个后期阶段,芯片的价值是很高的,因此必须小心控制MRAM单元以确保产品的高良率。

MRAM 制程流程与控制

磁性隧道结 (MTJ)

MRAM Process Flow

CIPT

电流面内隧穿(CIPT)是一种12点电子探针技术,可测量电阻随磁场的变化

CIPT提供了自由层在沉积,退火和磁化过程之后的重要性质

该技术被认为是在线MRAM制程监测的标准

CAPRES CIPTech®

MOKE

磁光克尔效应(MOKE)可检测堆栈中自由层和固定层的细微变化

非接触式测量使用强磁场确定偏振态变化

该光学技术允许在蚀刻之前和之后进行测量,无需特定目标

MicroSense PKMRAM

薄膜厚度

光谱椭偏仪技术提供有价值的薄膜厚度信息

满足针对MTJ叠层中单个金属层厚度的高精度测量

了解薄膜层的厚度对于控制MRAM器件性能至关重要

KLA SpectraFilm™

光学散射

光学散射测量(SCD)测量确定蚀刻后单个单元的形状

器件级别的测量提供最相关的结构信息

MRAM结构的形状决定了MRAM单元的最终电性

KLA SpectraShape™

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