缺陷检测与复检

Close up of a defect inspection wafer

缺陷检测与复检

KLA的缺陷检测与复检视系统支持芯片和晶圆制造环境中各种不同的良率应用,包括进厂工艺设备认证、晶圆认证、研究和开发以及设备、工艺和生产线监控。图案化和非图案化的晶圆缺陷检测与复检系统可以捕获并识别晶圆前后表面以及边缘上的颗粒和图案缺陷,并对其进行分类。该信息将帮助工程师发现、解决并监控关键的良率偏移,从而加快良率提升并达到更高的产品良率。

39xx

3900 Series Broadband Plasma Patterned Wafer external cylinder
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39xx

超分辨率宽光谱等离子图案晶圆缺陷检测系统

392x系列宽光带等离子缺陷检测系统可以提供晶圆级别的缺陷检测、良率改进以及对于≤7nm设计节点的逻辑及领先内存的在线监测。独具的深紫外(SR-DUV)波段光源技术可提供超分辨率,同时配合创新的传感器,3920和3925对独特的缺陷类型具备高灵敏度的捕获能力。392x系列还配有先进的pixel•point™和nano•cell™设计认知算法,能够在对良率关键的图案位置捕获缺陷并对其分类。392x系列将检测速度和灵敏度相结合,并支持Discovery at the Speed of Light™(光速发现)功能,从而使其产量达到在线监测的要求,在研发和批量生产中缩短了晶圆级数据的采集时间并能完整表征制程问题。

主要应用

缺陷发现、制程弱点发现、制程调试、EUV光刻制程检查、工程分析、生产线监控、制程窗口发现

相关产品

3900 and 3905: 宽光谱等离子晶圆缺陷检测仪,针对10nm及以下的逻辑和高级内存器件进行针对影响良率的关键缺陷的检测。

29xx 系列: 针对一系列设计节点和器件类型,与39xx系列的检测性能相辅相成的宽光谱等离子晶圆缺陷检测仪。

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29xx

2930 Series Broadband Plasma Patterned Wafer external cylinder
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29xx

宽光谱等离子图案晶圆缺陷检测系统

295x系列宽光谱等离子缺陷检测系统在光学缺陷检测方面进一步提高,可在≤7nm设计节点的逻辑和领先内存中发现影响良率的关键缺陷。2950和2955宽光谱等离子缺陷检测仪采用增强型宽光谱等离子照射技术以及全新的pixel•point™ 和 nano•cell™设计认知技术,具备在各种制程层、材料类型和制程堆叠上捕获关键缺陷所需的灵敏度。作为在线监测的行业标准,295x系列将灵敏度与光学晶圆缺陷检测速度相结合,实现了Discovery at the Speed of Light™ (光速发现)功能–既可以快速发现缺陷也能够以最低拥有成本完全表征缺陷问题。

主要应用

缺陷发现、制程弱点发现、制程调试、工程分析、生产线监控、制程窗口发现

相关产品

39xx 系列: 具有超分辨率深紫外(SR-DUV)波段的宽光谱等离子晶圆缺陷检测仪,与29xx系列的检测性能相辅相成,用于发现≤10nm设计节点器件上的缺陷。

2930 and 2935: 宽光谱等离子体晶圆缺陷检测仪,针对10nm及以下的逻辑和高级内存器件提供影响良率的关键缺陷的检测。

2920 and 2925: 宽光谱等离子体晶圆缺陷检测仪,针对16nm及以下的内存和逻辑器件提供影响良率关的关键缺陷的检测。

2910 and 2915: 宽光谱等离子体晶圆缺陷检测仪,针对2X / 1Xnm内存和逻辑器件提供影响良率的相关缺陷检测。

2900 and 2905: 宽光谱等离子晶圆缺陷检测仪,针对2Xnm内存和逻辑器件提供影响良率的相关缺陷的检测。

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Voyager

Voyager ™ 1015 Laser Scanning Patterned Wafer Defect Inspection Systems
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Voyager

激光扫描图案晶圆缺陷检测系统

Voyager™ 1015激光扫描检测系统支持量产提升过程中的缺陷监测,尤其适用于浸没式(193i)和EUV光刻工艺的显影后检测(ADI),因为这一工艺步骤下的晶圆仍可进行返工。 先进设计节点ADI层上特有间距紧密的图案,DUV激光、全新光学设计和最大的采集立体角度为这类ADI层提供了检测所需的高灵敏度。 定制的传感器和能量可控的激光能够检测精细的光阻材料,倾斜式照射和先进算法可以抑制ADI检测中固有的噪声源,使得到的结果与制造工艺更具相关性。 Voyager 1015能够为晶圆厂的光刻设备和其他工艺模块提供高产能的关键缺陷捕获,从而可以快速识别和纠正工艺中的问题。

应用

生产线监控,设备监控,设备认证,193i和EUV光阻认证

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Puma

Puma 9980 Laser Scanning Patterned Wafer system
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Puma

激光扫描图案晶圆缺陷检测系统

Puma 9980激光扫描检测系统增强了多项灵敏度和速度功能,在提供了足够量产所需产能的同时,帮助1Xnm的先进逻辑器件和先进DRAM及3D NAND内存器件的批量制造捕获关键缺陷(DOI)。 作为先进晶圆缺陷缺陷检测与复检设备系列的一部分,Puma 9980通过提升对于图案层(e.g., Multi-patterning)缺陷类型的捕获,为量产提升监控提供了最高产能的解决方案。 Puma 9980结合了NanoPoint™这一设计解析功能,提升了缺陷检测灵敏度、更好的系统性噪音分离,以及缺陷定位精度的提高,为最终的检测结果提供了更多的可操作性。

应用

产品线监测,设备监测,设备认证

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Puma 9850: 为2X / 1Xnm内存和逻辑器件提供全芯片(Die)区域的高灵敏度偏移监控。

Puma 9650: 为≤28nm的内存和逻辑器件提供全芯片(Die)区域的高性能偏移监控。

Puma 9500: 为≤32nm的内存和逻辑设备提供高性能的偏移监控。

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8 系列

Closeup of 8 series High Productivity Patterned Wafer
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8 系列

高产率多用途图案晶圆检测系统

8系列图案化晶圆检测系统能够以极高的产量对各种缺陷类型进行检测,从而快速识别和解决生产工艺问题。 8系列可以对150mm、200mm或300mm硅和非硅基片晶圆进行经济有效的缺陷检测,从最初的产品开发到批量生产,能帮助晶圆厂通过对更多批次晶圆进行采样来降低偏移风险。 8系列晶圆缺陷检测系统采用可选光谱的LED扫描技术、同步明场和暗场光路以及自动晶圆缺陷分类,旨在使技术先进的IC晶圆厂和传统技术节点晶圆厂都能够加速其产品交付 – 可靠并且低成本。

应用

工艺监控,设备监控,出厂质量控制 (OQC)

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CIRCL: 8系列检测技术也可以作为CIRCL缺陷检测、量测和检视集群设备中的一个模块。

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CIRCL™

Zoomed in CIRCL All-Surface Wafer
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CIRCL™

全表面晶圆缺陷检测、量测和检视集群系统

CIRCL™ 集群设备包含四个模块可以检测所有晶圆表面并同步采集数据,从而实现高产量和高效率的工艺控制。 最新一代的CIRCL5系统模块包括:晶圆正面缺陷检测; 晶圆边缘缺陷检测;轮廓、量测和检查; 晶圆背面缺陷检测和检查; 以及晶圆正面缺陷的光学检查和分类。 DirectedSampling™可以提供数据采集控制,并创新地利用一项测量结果触发集群设备中其他类型的测量。 CIRCL5的模块化配置可以灵活地满足不同工艺控制的需求,节省整个晶圆厂空间,缩短晶圆排队检测时间,并可以通过经济高效的系统升级来保护晶圆厂的资本投资。

应用

工艺监控,出厂质量控制(OQC),设备监控,背面监控,边缘良率监控

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Surfscan®

Surfscan® SP3 unpatterned wafer inspection system
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Surfscan®

无图案晶圆缺陷检测系统

Surfscan® SP7 无图案晶圆检测系统针对领先的逻辑和内存设计节点可以进行以下认证:用于IC制造(包括EUV光刻)的工艺、材料和设备; 用于基片制造的先进基板(如特级硅晶圆、外延和SOI晶圆); 以及用于设备制造的工艺设备性能。 Surfscan SP7采用具备峰值功率控制的DUV激光光源、全新的光学架构、一系列光斑尺寸变化以及先进的算法,为裸晶圆、光滑和粗糙的薄膜以及精细的光阻和光刻堆栈结构提供灵敏度极高的检测和更好的缺陷分类。 Surfscan SP7也能够作为高分辨率的SURFmonitor™模块进行组合,用于表面质量的表征和细微缺陷的检测,从而协助工艺和设备的认证。

应用

工艺认证,设备认证,设备监测,出厂晶圆质量控制,进厂晶圆质量控制,EUV光阻和扫描仪认证,工艺调试

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Surfscan SP5XP: 无图案晶圆表面检测系统,不仅产量高也具有DUV灵敏度,适用于1Xnm设计节点的IC、基片和设备制造。

Surfscan SP5: 无图案晶圆表面检测系统,不仅产量高也具有DUV灵敏度,适用于2X / 1Xnm设计节点的IC、基板和设备制造。

Surfscan SP3: 无图案晶圆表面检测系统,不仅产量高也具有DUV灵敏度,适用于2Xnm设计节点的IC、基板和设备制造。

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eDR7xxx

e-Beam Wafer Defect Review and Classification Systems
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eDR7xxx

电子束晶圆缺陷检视和分类系统

eDR7380™电子束晶圆缺陷检视和晶圆分类系统可以拍摄高分辨率的缺陷图像,从而精确反映晶圆上的缺陷群体状况。eDR7380内置多种电子光学元件和专用的镜头内探测器,对包括脆弱的EUV光刻层、高宽比沟槽层和电压对比层等在内的各个不同的制程步骤提供缺陷可视化支持。独特的Simul™-6技术可以通过一次测试生成完整的DOI(关注缺陷)柱状分部图,从而精确定位缺陷根源并迅速检测制程偏移。通过如宽光谱图案晶圆检测仪上的IAS™和裸片晶圆检测仪上的OptiSens™等连通功能,eDR7380为KLA检测设备提供了独特连接,以便在IC和晶圆制造制程中加速良率改进。

主要应用

缺陷成像、在线自动缺陷分类和性能管理、裸片晶圆出厂和入厂质量控制、晶圆处置、制程弱点发现、缺陷发现、EUV光刻检查、制程窗口发现、制程窗口认证、晶圆斜面边缘检视。

相关产品

eDR7280: 采用第五代电子束浸没光学元件的电子束晶圆缺陷检视和分类系统,适用于≤16nm设计节点的IC开发和生产。

eDR®是KLA 公司的注册商标。

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