MRAM 기술

MRAM은 큰 계획을 준비하고 있습니다. IC 제조업체들은 IoT와 자동차 칩을 넘어서 기타 모바일 애플리케이션에 MRAM을 통합할 계획을 준비하고 있습니다. 빠른 읽기/쓰기 속도와 비휘발성은 중요한 이점입니다. 로직 회로로 더 빠르게 메모리에 접속할 수 있으므로 배터리 수명이 늘어납니다.

Person holding futuristic device
Memory cells

MRAM 공정

MRAM 제조는 강자성 박막 층의 식각 및 자기화, 어닐링, 증착의 제어를 필요로 합니다. 이러한 메모리 셀은 칩이 완성에 다다를때 로직 칩 안에 내장됩니다. 이 단계의 칩의 가치는 높기 때문에 높은 수율을 유지하기 위해 MRAM 셀을 조심스럽게 관리해야 합니다.

MRAM 공정 흐름 및 제어

자기 터널 접합(MTJ)

MRAM Process Flow

CIPT

면상 터널링 전류(CIPT)는 저항을 자기장과 대비해서 측정하는 12점 프로브 전기 기법입니다.

CIPT는 증착, 어닐링 및 자기화 후 자유층의 중요한 물성을 제공합니다.

해당 기법은 인라인 MRAM 모니터링을 위한 표준 기법으로 간주합니다.

CAPRES CIPTech®

MOKE

자기광학적 커 효과(MOKE)는 스택 내 자유 및 핀 층의 미세한 변화를 탐지합니다.

비접촉 측정은 강력한 자기장을 사용하여 편광 상태 변화를 파악합니다.

특별 타겟이 필요 없는 광학 기법으로 식각 전 및 식각 후 측정이 가능합니다.

MicroSense PKMRAM

박막 두께

분광타원해석기술은 귀중한 박막 두께 정보를 제공합니다.

MTJ 스택의 개별 금속 층 두께 측정을 위한 높은 수준의 정확도가 필요합니다.

박막 층의 박막 두께에 대한 이해는 MRAM 소자 성능을 제어하는데 필수적입니다.

KLA SpectraFilm™

산란측정

광학 산란(SCD) 측정을 통해 식각 후 개별 셀의 형태를 파악할 수 있습니다.

온 디바이스 측정으로 연관성이 제일 높은 구조적 정보를 제공합니다.

MRAM 구조의 형태를 통해 MRAM 셀의 최종 전기적 물성을 파악할 수 있습니다.

KLA SpectraShape™

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