첨단 IC

AI, 5G, 클라우드 및 엣지 컴퓨팅, 자율주행 자동차, 모바일 소자. 오늘의 전자기기와 내일의 기술을 위해서는 첨단 GPU, CPU, DRAM과 3D NAND 칩이 필수입니다. 이러한 IC는 작고 좁으면서 높고 깊은 구조를 갖춘 섬세한 형상과 신규 소재로 제조됩니다. 성공적인 생산을 가능케하는 복잡도를 충족하기 위해서는 패터닝 특이점들을 제어할 수 있어야 합니다.

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KLA의 계측 솔루션은 패턴치수, 박막 두께, 층간 정렬, 패턴 배치, 표면 형상, 웨이퍼 기하구조 및 In situ 공정을 정확하게 측정합니다. 혁신적인 시스템을 망라한 포트폴리오를 제공하여 칩 제조업체들이 로직, DRAM 및 3D NAND 소자의 성능을 개선할 수 있도록 EUV 사진 식각을 포함한 Fab 내 공정에 대한 엄격한 제어를 지원합니다.

제품군에 Archer™ 750과 SpectraShape™ 11k이 추가되었습니다! 다양한 광학 및 플랫폼 혁신과 첨단 머신러닝 알고리즘을 보유한 신규 시스템은 공정에 중대한 영향을 미치는 패터닝 변수를 제어하고 측정하여 IC 엔지니어들이 우수한 패터닝 사양을 달성하도록 지원합니다.

Product image of Archer 750

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Archer™ 750

KLA의 신규 이미징 기반 오버레이 계측 시스템은 오버레이 오류를 빠르고 정확하게 측정하여 Litho 엔지니어들이 인라인 이탈점을 파악하고 패터닝 성능을 개선하도록 지원합니다.

  • 10nm 해상도를 탑재한 고유의 파장 조정 기능은 첨단 로직과 메모리 소자의 빠른 기술 향상과 안정적인 생산을 할 수 있도록 공정 변동이 존재하는 상황에서도 정확하고 견고한 오버레이 오류 측정값을 제공합니다
  • 새로운 CPL (층별 색상) 측정 모드를 사용하여 측정이 어려운 Litho 층, EUV의 박막 감광재 및 불투명 박막 등에서의 정확한 오버레이 측정을 위한 타겟 신호대잡음비(SNR)을 개선합니다
  • 새로운 스테이지 및 센서 등의 하드웨어를 개선하여 시스템 생산성을 일반적으로 산란계측 기반의 오버레이 시스템에서만 보여지는 수준으로 향상시켜 고차 스캐너 교정 및 대량 생산을 지원하는 오버레이 샘플링을 증가시킵니다
  • 새로운 rAIM™ 오버레이 타겟 설계 기능을 보유한 첨단 알고리즘은 향상된 소자 오버레이 성능 추적을 위해 향상된 소자와 타겟 상관성과 향상된 공정의 견고성을 제공합니다

Archer 750 세부사항

Product image of the SpectraShape 11k

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SpectraShape™ 11k

최신 CD 및 입체형차원 형상 계측 시스템은 첨단 IC 공정의 생산 모니터링에서 사용되는 주요공정에 중대한 영향을 미치는 소자 기능형상에 대한 높은 수준의 정밀도와 샘플링 측정 역량을 제공합니다.

  • 대량 생산 중 발생하는 공정 이슈를 빠르게 파악하기 위해 광원, 편광, 스테이지 및 기타 하위 시스템을 크게 향상시켜 고감도 및 처리량으로 공정에 중대한 영향을 미치는 소자 형상 측정을 지원합니다
  • Fast Multi Angle(FMA)을 통해 이전 세대 SpectraShape 시스템보다 향상된 감도와 속도를 활용하여 어려운 공정 변수와 층에 대해 높은 신호 강도로 다양한 입사각도에서 동시에 데이터를 수집할 수 있습니다
  • 적외선 파장 범위를 확장한 고해상도 반사율 측정장치와 높은 보우 웨이퍼를 처리할 수 있는 새로운 척을 통해 첨단 DRAM 및 3D NAND 공정의 제어 및 모니터링에 필요한 고종횡비 채널 홀 식각 CD, 높이와 홈리세스 등의 하드마스크와 후막 층 변수를 측정할 수 있습니다
  • TurboShape™ 알고리즘은 패터닝 성능을 향상시키는 신규 스캐너 제어 또는 식각 공정 제어 전략을 구현하기 위한 Litho ADI 에서 CD 및 형상을 측정하도록 지원합니다

SpectraShape 11k 세부 사항

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